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IRF6602中文资料

IRF6602图片

IRF6602外观图

  • 大小:200.24KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:HEXFET Power MOSFET
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:13 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:18nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1420pF @ 10V
  • 功率 - 最大:2.3W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DirectFET? 等容 MQ
  • 供应商设备封装:DIRECTFET? MQ
  • 包装:剪切带 (CT)
  • 其它名称:IRF6602CT

IRF6602供应商

更新时间:2023-02-01 03:55:38
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